中國半導體大廠紫光集團傳出將在今年(2020年)內打造DRAM新工廠、力拼2022年量產，期望藉由增加中國境內能夠自給的半導體種類，提高自給率、降低對海外的依賴。
紫光目前已量產NAND型快閃記憶體(Flash Memory)，旗下長江存儲(YMTC)今年4月宣布，成功研發出堆疊128層的3D NAND Flash產品。
日經新聞27日報導，據多位關係人士指出，紫光集團將在今年內著手興建DRAM新工廠、目標在2022年開始進行量產。在美中對立情勢加劇下，紫光期望藉由增加中國境內能夠自給的半導體種類、減低對海外的依賴度。
據報導，紫光該座DRAM新廠將坐落於重慶市、原先計畫在2019年底動工，不過受武漢肺炎等因素影響而延遲。而當前因位於日本、從事DRAM設計業務的子公司正式營運，因此力拼在今年內動工興建，新廠產能規模等細節雖不明，不過據關係人士指出，紫光計畫在10年間對DRAM事業投資8,000億元人民幣。
不過紫光該座DRAM新廠之後能否順利進行量產、仍將受美中關係動向所左右，主因要生產具競爭力的DRAM產品、就需要用到美國製生產設備，而美國禁止供應使用美國先進技術的產品給部分中國企業，因此若之後美中對立進一步加劇的話、恐將對紫光造成影響。
中國於2015年發表高科技產業振興對策「中國製造2025」、將半導體定為重點產線，目標在2020年將半導體自給率從當前的未滿20%提高至40%、2025年進一步提高至70%。
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MoneyDJ 新聞 2020-06-29 07:20:43 記者蔡承啟 報導