三星電子(Samsung Electronics Co.)晶圓代工產品傳出發現瑕疵。韓媒爆料，今(2019)年稍早，三星第一代10奈米 (1x奈米) DRAM產品就曾出現過問題，這次則是晶圓代工業務出包，恐傷及三星的業界信譽。
BusinessKorea 8日報導，三星南韓器興(Giheung)廠，因為8吋矽晶圓生產線採用了受到汙染的設備，導致產品出現瑕疵。一名三星高層坦承，的確發現瑕疵品，但製程已獲修正，損害規模估計有上億韓圜。
然而，部分專家直指損害規模也許遠多於三星預估。一名業界人士透露，「就我所知，三星並未計算出真正的虧損金額，可能會遠比官方估計還多。」
晶圓代工產品傳出包，恐打擊公司信譽，對正在積極投資晶圓代工事業，希望能在2030年奪下業界冠軍的三星而言，傷害恐怕不小。
三星今年Q4半導體支出將刷新單季歷史高
科技市調機構IC Insights 11月5日發表研究報告指出，三星今年Q4多數資本支出將用來打造記憶體基礎建設、因應中長期需求。其Q4資本支出預計會季增81%至79億美元，較2017年Q4的前次歷史高(68.77億美元)多出15%。
若以今年一整年來看，三星的半導體資本支出將年減8%至199億美元。不過，該公司2017年、2018年與2019年的半導體合併資本支出將達到658億美元，比英特爾(Intel Corp.)多出53%，是同期間內支出次高的業者。不只如此，三星2017-2019年合計658億美元的半導體資本支出，也會較所有中國本土半導體商的合併支出(308億美元)高出一倍以上。
看來，三星對於持續領先中國記憶體新創公司、以及與台積電(2330)的先進製程競賽，態度都非常認真。(三星、台積電的資本支出比較見下圖)
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MoneyDJ 新聞 2019-11-08 10:54:21 記者郭妍希 報導