台積電(2330)、英特爾(Intel Corp.)在晶圓代工領域正面對決，英特爾在8月宣布跟設計手機、汽車晶片的安謀(ARM Holdings)敲定代工協議，看似躍進一大步，但分析人士認為，英特爾整體晶圓代工能力仍落後台積電一年之久，短期內難以對台積電造成實質威脅。(圖為台積電董事長張忠謀)
barron`s.com 27日報導，美系外資發表研究報告指出，台積電在技術、處理ARM製程的能力、晶圓產能、成本結構、生產彈性、資產負債表和整體價值方面，都比英特爾來得強勢。雖然英特爾微處理器的科技、製程都較佳，但晶圓代工能力卻落後微處理器製造技術至少兩年，因此大概比台積電晚了一年左右。也就是說，英特爾短期內難以對台積電產生實質威脅。
相較之下，台積電的10奈米、7奈米製程技術雖落後英特爾，但台積電比英特爾提前1-2年跨入7奈米製程，可藉此縮短兩家公司的差距。台積電在獨家封裝技術「整合型扇出型封裝」(integrated fan-out，InFO)的協助下，有望在2017年、2018年霸佔10奈米和7奈米晶圓代工市場。
台積電27日上漲1.88%之後，28日小跌0.23%、收30.33美元；年初迄今已跳漲33.32%。
最新消息顯示，台積電內部預估，7奈米最快明(2017)年4月就可開始接受客戶下單。(圖為台積電董事長張忠謀)
WCCFtech 9月25日報導(見此)，台積電研發單位已在內部會議中，揭露未來幾年的最新研發藍圖，根據幾名資深高層的說法，該公司今年底就會轉換至10奈米，7奈米則會在明年試產、估計明年4月就可接單，而16奈米FinFET compact製程(FFC，比16FF+更精密)也將在今年導入。7奈米製程可大幅提升省電效能(時脈約3.8Ghz、核心電壓(vcore)達1V)，臨界電壓(threshold voltage)最低可達0.4V，適用溫度約為150度。
報導稱，跟16FF+相較，10奈米FinFET製程可讓晶片尺寸縮小50%、運算效能拉高50%、耗電量降低40%。相較之下，7奈米(採的應該是FinFET製程)的運算效能只能拉高15%、耗電量降低35%，電晶體密度增加163%，改善幅度遠不如10奈米。這是因為，台積電的10奈米FinFET製程大約等同英特爾的14奈米，7奈米製程則大致跟英特爾的10奈米相當、甚至較遜。
Fudzilla甫於9月9日報導，台積電高層在本週的SEMICON Taiwan國際半導體展表示，7奈米製程有望在2018年Q1放量生產。台積電從2014年初開始投入7奈米製程研究，預定2017年上半進入風險生產(Risk Production)，再過一年後量產，搭載7奈米晶片的消費產品應可同時上市。
＊編者按：本文僅供參考之用，並不構成要約、招攬或邀請、誘使、任何不論種類或形式之申述或訂立任何建議及推薦，讀者務請運用個人獨立思考能力，自行作出投資決定，如因相關建議招致損失，概與《精實財經媒體》、編者及作者無涉。
MoneyDJ 新聞 2016-09-29 09:06:16 記者郭妍希 報導