韓聯社12日報導，南韓三星電子2016年Q1(2016年1-3月)NAND型快閃記憶體(Flash Memoy)全球銷售額創下歷史新高紀錄、穩坐全球龍頭位置。報導指出，根據IHS的資料顯示，Q1三星NAND Flash銷售額較前一季(2015年Q4)成長3.1%至26.15億美元，增幅是整體市場(成長1.6%)的近2倍水準，市佔率也從前一季的42.0%上揚至42.6%。
排名第二位東芝(Toshiba)市佔率雖從24.0%大幅揚升至28.0%，不過與三星之間仍有高達14.6個百分點的差距；第三位為美國美光(Mircon)的18.8%、南韓SK Hynix則以10.6%的市佔率位居第4位。
NAND Flash的特徵就是即便電源關掉了、數據也不會消失，而使用NAND Flash的固態硬碟(SSD)正持續擴大應用至筆電上。三星NAND Flash市佔率從2002年以來、已連14年高居首位，且因三星在48層積層製程技術上擁有優勢，故業界預估三星短期間內仍將持續穩居龍頭，不過東芝、英特爾(Intel)正猛烈追趕，且中國廠商也正加強設備投資。
Thomson Reuters、時事通信社報導，東芝統籌記憶體事業的副社長成毛康雄於7月6日舉行的投資人說明會上表示，將衝刺NAND型快閃記憶體(Flash Memory)產量，目標在2018年度將NAND Flash產量擴增至2015年度的3倍水準(以容量換算)。
關於已在2016年度開始量產的3D結構NAND Flash，成毛康雄指出，將強化3D Flash的生產，目標在2017年度將3D產品佔整體生產比重提高至5成、2018年度進一步提高至9成左右水準。
日經、韓國先驅報(Korea Herald)7月6日報導，未具名消息指稱，東芝打算與Western Digital在未來三年攜手，對3-D NAND Flash投資1.5兆日圓(相當於146億美元)。根據雙方協議，東芝、Western Digital會在日本三重縣四日市的現有合資廠房新增晶片製造設備，大多數的資金會用來安裝3-D NAND的製造裝置。
韓媒BusinessKorea 6月1日報導，研調機構DRAMeXchange報告稱，美光和英特爾的新加坡合資工廠，今年第一季已經開始量產3D NAND flash，目前每月產量為3,000片，預料年內可拉升至每月4萬片。
與此同時，英特爾大連廠也將在今年底產能全開，屆時兩家美廠的3D NAND產能將壓倒三星。三星3D NAND每月產能約在2萬~4萬片之間，約佔三星總體NAND產能的9~18%。
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MoneyDJ 新聞 2016-07-13 14:19:34 記者蔡承啟 報導