三星看好半導體景氣持續往上走，周二宣布未來四年將砸下逾20兆韓圜，或相當於190億美元投資旗下半導體事業。
三星兩年前耗資15.6兆韓圜在南韓平澤市打造新記憶體廠，新廠當日才剛正式投產，三星已計畫2021年內再額外投入14.4兆韓圜（125億美元）擴廠。（美聯社）
三星還計畫投資位於華城的記憶體園區6兆韓圜。與此同時，三星也考慮增加中國西安半導體廠的產能。
IHS Markit數據顯示，2017年全球DRAM產值跳增72%、來到722億美元，2018年預估將進一步擴增至844億美元，年增率達16.9%。（Koreaherald.com）
NAND快閃記憶體去年成長46.2%、成為538億美元，今年預估擴增至592億美元。產業資訊顯示，3D NAND快閃記憶體占三星快閃記憶體出貨比重，去年第四季已超過八成，今年底預估將超越九成。（businesskorea.com）
＊編者按：本文僅供參考之用，並不構成要約、招攬或邀請、誘使、任何不論種類或形式之申述或訂立任何建議及推薦，讀者務請運用個人獨立思考能力，自行作出投資決定，如因相關建議招致損失，概與《精實財經媒體》、編者及作者無涉。MoneyDJ 新聞 2018-01-04 14:26:04 記者陳瑞哲 報導