日經新聞15日報導，半導體記憶體代表性產品DRAM價格持續走揚，12月份指標性產品中的DDR3 2Gb批發價格較前月份(11月份)揚升3%至每個約1.9美元左右、4Gb產品也揚升1%至3.6美元左右，較年初相比，上述2款產品價格皆大增2成、創下2年10個月來新高水準。
據報導，智慧手機廠商新機種開賣時間較往年推延、加上DRAM廠商增產腳步延遲，是推升DRAM價格揚升的主因。蘋果(Apple)iPhone X開賣時間較往年機種延後1個月至11月份，也讓部分中國智慧手機廠商為了觀察iPhone X動向而將新機種開賣時間較年末推延至2018年初，推升年末的DRAM需求。
和DRAM增產息息相關的線路細微化沒進展，是造成DRAM缺貨(增產延遲)的主因。據記憶卡廠商指出，2017年最先端的20nm以下DRAM產品佔整體市場比重恐僅2成左右，比重擴大速度未達預期。
報導指出，三星等DRAM廠商預估將在2018年加快增產腳步，根據國際半導體設備材料產業協會(SEMI)指出，2017年全球DRAM產能預估僅將年增3%、2018年預估將大增10%。
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MoneyDJ 新聞 2017-12-18 11:52:53 記者蔡承啟 報導
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