三星電子位於南韓平澤(Pyeongtaek)的工廠，號稱是全球最大的半導體工廠。消息傳出，平澤廠預定七月啟用，將生產第四代3D NAND。
BusinessKorea、Investor 12日報導，平澤廠是第四代64層3D NAND的生產基地，預定七月投產。三星敵手美光(Micron)、SK海力士等，都尚未開始量產第四代3D NAND，三星拔下頭籌，將可拉大與競爭對手的差距。
IHS Markit估計，三星NAND的總產能(平面+3D)，約為每月晶圓投片量45萬組，其中一半以上都是3D NAND。據傳平澤廠將專門量產3D NAND，等產能全開時，NAND產量將大增，能爭搶更多市佔。
不過，消息人士說，平澤廠初期運轉階段，產量有限，一兩年後產能利用率才會提高。估計今年下半平澤廠3D NAND的晶圓總投片量為7~8萬組。
三星是NAND龍頭，2016年市佔率為36%。半導體業界人士表示，三星量產第四代3D NAND之後，將調降第二、三代價格，其他業者將受重創。就算他們買下NAND二哥東芝聯手出擊，三星仍有辦法拓展市佔、增至40%。
與此同時，三星動作頻頻，量產第四代NAND之際，也開始研發第五代NAND。
三星野心不止於此，該公司打造出半導體鐵三角，在平澤廠生產3D NAND，南韓器興(Giheung)製造系統半導體，華城(Hwaseong)製作DRAM。三星也會擴大器興和華城工廠，全面搶佔半導體市場。
三星野心勃勃，其他業者積極追趕。韓聯社10日報導，SK海力士宣布，開發出業界首見的72層258-Gb NAND flash，預定今年下半量產，研發速度超過三星電子。
三星積極擴產，引發外界疑慮，擔心未來記憶體將再次供過於求。
之前外資曾警告，DRAM榮景能否持續，取決於記憶體龍頭三星電子，要是三星擴產，好景恐怕無法持續。如今三星眼看DRAM利潤誘人，傳出決定擴產，新產線預計兩年後完工。
BusinessKorea 3月15日報導，三星電子決定砸下10兆韓圜(87億美元)，擴充南韓華城廠(Hwaseong)的DRAM產能。三星人員表示，新產線約需兩年時間建造，將視研發進度和製程轉換良率，決定生產18奈米製程DRAM，或更先進製程的DRAM。
＊編者按：本文僅供參考之用，並不構成要約、招攬或邀請、誘使、任何不論種類或形式之申述或訂立任何建議及推薦，讀者務請運用個人獨立思考能力，自行作出投資決定，如因相關建議招致損失，概與《精實財經媒體》、編者及作者無涉。
MoneyDJ 新聞 2017-04-12 16:04:15 記者陳苓 報導