南韓記憶體廠SK海力士2017年投資佈局逐漸成形，擴廠加增設新廠，總投資規模上看六兆韓圜或相當於50億美元。
據科技媒體ETnews.com報導，海力士今年估計砸下近50億美元在設施投資上，明年預估只會更多。海力士目前正在對利川（Icheon）M14進行擴廠，將用以生產72層3D NAND快閃記憶體。
除此之外，海力士還將增加投資無錫廠附屬設施，並將再增建一座新廠（暫稱C2F）。無錫廠建於2006年，主要用於生產DRAM，近十年來對海力士營收成長做出不少貢獻。
另外，海力士周四已先行宣布新3D NAND記憶體的設廠計畫（推測代號M15），規模約略與利川M14廠相當，占地達23.4萬平方米，估計於明年八月動工，2019年六月完工，至於實際量產時間，將視當時市況而定。
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