DRAM將掀「1x nm」大戰！三星搶頭香、傳Q1量產

MoneyDJ新聞 2015-12-30 14:25:14 記者 蔡承啟 報導

日本總和情報網站Gadget速報30日轉述南韓科技媒體ETNews的報導指出，三星電子預估將在明年Q1(2016年1-3月)開始量產1x-nano(18nm)DRAM產品、且預估最遲也會在Q2量產。報導指出，三星開始量產18nm DRAM之後，有望藉此降低製造成本、提高獲利，而三星競爭對手南韓SK Hynix和美國美光(Micron)也預估將跟隨三星腳步於2016年內量產1x nm等級的DRAM產品，也宣布DRAM將進入「1x nm」大戰。

報導並指出，目前DRAM價格持續下滑，且此種情勢在明年也將持續上演，根據市場研究機構TrendForce旗下內存儲存事業處DRAMeXchange指出，今年(2015年)11月4GB DDR3 DRAM合約價為1.27美元、較今年1月時的價格相比驟減了49.1%。

據報導，三星在2014年搶得頭香、領先同業率先量產20nm DRAM產品，而在1X nm領域上，三星也有望拔得頭籌。

日經新聞10月12日報導，美光計劃於今後1年內對日本廣島工廠豪砸1,000億日圓資金，導入最新生產設備，量產全球最先端、採用16nm製程技術的DRAM產品，且目標為在2016年上半年確立16nm DRAM的量產技術。

日經指出，和現行20nm製程相比，採用16nm製程的每片晶圓可取得的記憶體數量將增加，預估產能將可提高2-3成，而待上述廣島工廠確立16nm DRAM量產技術之後，美光預估也會對位於日本、美國、台灣等地的工廠中的其中一座進行追加增產投資。

BusinessKorea 10月13日報導，三星、SK Hynix在量產18奈米(nm)DRAM之後，打算運用ASML製造的極紫外光(EUV)微影設備，目標是在2020年將DRAM製程技術逐步從15奈米進一步演進至10奈米。報導指出，SK Hynix在今年第3季成功量產20奈米DRAM之後，將在明年第1季研發18奈米技術、希望最快能趕在明年下半年量產18奈米DRAM。

韓聯社報導，IHS宣布，今年第三季，三星電子在全球DRAM市佔率達45.9%，SK Hynix佔27.6%，兩者合併市佔達73.5%、再創歷史新高。兩大韓廠的全球市佔已經連續五季增加。

DRAM第三大廠美光市佔年減4.2%至19.8%，為2013年併購爾必達(Elpida Memory)以來新低。第四名為南亞科(2408)、市佔為2.8%，第五名為華邦電(2344)、市佔為1.3%。

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