三星超車台積電、英特爾，搶頭香推10奈米SRAM

MoneyDJ新聞 2015-11-18 14:03:41 記者陳瑞哲報導

三星週三宣布，獨立領先業界運用10奈米鰭式場效電晶體（FinFET）製程生產 SRAM（靜態隨機存取記憶體），意謂著三星10奈米製程技術或許已經超越台積電（2330），甚至連晶片龍頭英特爾（Intel）都被三星超車。

SRAM速度比DRAM快，常被當作中央處理器（CPU）的快取記憶體，藉以提高CPU存取效率。台積電與英特爾在SRAM製程技術上目前還分別停留在16與14奈米。

三星成功開發新世代SRAM，也代表其處理器製程工藝進階至10奈米的過程相當順利，估計有望在2017年初進入全面量產，將使三星爭搶處理器代工訂單佔得有利位置。（ETnews.com）

與14奈米SRAM相比，10奈米可將128MB記憶體單位儲存面積縮小37.5%，配合10奈米打造的處理器，不僅運算效能加快且佔用空間更小。三星希望明年底將10奈米完成商業化。

另外，三星還同時將平面NAND快閃記憶體製程技術從16奈米推進至14奈米，將可降低生產成本、改善營利率。東芝、美光目前還停留在15-16奈米製程階段，並認為這是平面NAND記憶體工藝的極致，之後將朝3D堆疊發展。不過在三星做出突破後，或許平面NAND還有進一步延展的可能。

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