MoneyDJ新聞 2015-11-17 12:18:26 記者 郭妍希 報導
三星電子(Samsung Electronics Co.)今(2015)年靠著20奈米製程技術領先DRAM對手、吃下獲利市佔大餅。不過，風水輪流轉，明年美光(Micron)、SK Hynix有望會扳回一城。
barron`s.com報導，Bernstein Research分析師Michael Newman 16日發表研究報告指出，雖然DRAM報價今年崩盤，但其實產業體質反而比過往穩健、業界整體獲利依舊相當穩定，主要是因為三星吃掉美光、SK Hynix、華亞科(3474)、南亞科(2408)市佔率、佔據產業多數利潤的關係。
根據Newman的統計，今年DRAM整體淨利持平於170億美元，營益率還從去年的37%略為擴大至39%，主因三星已佔60%的產業淨利、高於去年Q4的46%。三星領先推出DDR4、LPDDR4，因而擁有定價優勢，而導入20奈米製程技術也帶來成本競爭優勢。
相較之下，美光則成為今年的大輸家，就是因為該公司的20奈米製程技術尚未準備完畢的關係。SK Hynix的情況雖沒有美光嚴重，但也在今年面臨類似困境。不過，美光、SK Hynix明年有望順利拉升20奈米製程技術與DDR4/LPDDR4產能，有望扳回一城、贏回原來被三星奪走的利潤。
韓媒則指出，三星、SK Hynix與美光預料都會在明(2016)年開始量產18奈米製程技術的DRAM，下一個目標則將瞄準10奈米。
BusinessKorea 10月13日報導，三星、SK Hynix在量產18奈米DRAM之後，打算運用ASML製造的極紫外光(EUV)微影設備，目標是在2020年將DRAM製程技術逐步從15奈米進一步演進至10奈米。美光也打算在一年內對日本廣島廠注資1,000億日圓(相當於8.34億美元)、量產16奈米製程DRAM，產量可較20奈米製程多出20-30%，對三星與SK Hynix構成威脅。
不過，想要克服20奈米製程的限制，則必須改變介電層的設計，才能使用原子結構比現有的分子結構更為緊密的材料，而美光目前還未取得相關技術，也讓市場專家對美光的野心產生懷疑。另外，若想要導入16奈米製程技術，美光也需購入每台要價1,000億韓圜(8,700萬美元)的EUV設備，該公司對日本的投資額還不太夠，而ASML每年也僅能生產7-8台EUV設備。
相較之下，三星打算在明年下半年開始量產18奈米DRAM，並計畫將DRAM的製程技術從18奈米演進至15奈米、並於2020年進一步拉升至10奈米。SK Hynix在今年第3季成功量產20奈米DRAM之後，將在明年第1季研發18奈米技術、希望最快能趕在明年下半年量產18奈米DRAM。業界消息人士指出，三星在20奈米DRAM與競爭對手保持了一年(甚至更多)的差距，但在10奈米預料會面臨對手競爭。
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