嗆三星！美光傳砸千億擴增日本DRAM產能、台灣廠跟進？

MoneyDJ新聞 2015-10-12 07:55:09 記者 蔡承啟 報導

日前傳出全球DRAM龍頭廠三星電子恐會在明(2016)年、後年帶頭砍產能，且減產幅度更將居業界之冠，不過全球第3大DRAM廠美光(Micron Technology)秉持著「逆勢時更應該積極投資」的態度，傳出將豪砸千億日圓在日本量產採用全球最先端技術的DRAM、擴增產能。

日經新聞12日報導，美光計劃於今後1年內對日本廣島工廠豪砸1,000億日圓資金，導入最新生產設備，量產全球最先端、採用16nm製程技術的DRAM產品，且目標為在2016年上半年確立16nm DRAM的量產技術。

報導指出，目前半導體市況雖疲弱，不過美光期望藉由在逆勢時持續進行積極投資，對抗全球龍頭廠三星；美光也於上年度(截至2015年8月底為止的會計年度)對廣島工廠砸下1,000億日圓資金進行增產，故此將為美光連續第2年對廣島工廠進行鉅額投資。

據報導，和現行20nm製程相比，採用16nm製程的每片晶圓可取得的記憶體數量將增加，預估產能將可提高2-3成，而待上述廣島工廠確立16nm DRAM量產技術之後，美光預估也會對位於日本、美國、台灣等地的工廠中的其中一座進行追加增產投資；南韓三星電子目前也量產採用20nm製程技術的DRAM產品，且也正為量產次世代DRAM產品做準備。

據報導，美光最高營運負責人(CEO)Mark Duncan接受日經新聞專訪時表示，市況嚴峻的時候，才更應該積極投資確立先進技術；他說，行動裝置需求持續走揚，加上每台智慧手機搭載的記憶體容量變大，故記憶體市場的未來完全不用悲觀。

據報導，美光今年度(截至2016年8月為止的會計年度)用於設備投資、研發的費用將年增4成至58億美元，且投資對象主要為DARM和NAND Flash等兩大記憶體事業。

Investors.com 5日報導，RBC Capital分析師Mahesh Sanganeria發表研究報告指出，三星電子(Samsung Electronics Co.)、華亞科(3474)、SK Hynix在2014年讓DRAM供給氾濫成災，預料三星會受不了在明(2016)年、後年帶頭砍產能，減產幅度更將居業界之冠，SK Hynix、華亞科也有望跟進。

德意志銀行分析師Sidney Ho則指出，競爭對手減產對逆向調高明年資本支出的美光有利，而明(2016)年DRAM產業的供需也會逐漸改善。

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