三星電子(Samsung Electronics Co.)今(2017)年的半導體資本支出大幅增加、增幅出乎市場意料之外，科技市調機構IC Insights警告，這會讓3D NAND型快閃記憶體供給過剩，也扼殺了中國企業在3D NAND或DRAM市場大展身手的希望。
IC Insights 14日發表研究報告指出，今年全球半導體資本支出有望成長35%至908億美元，其中三星今年的支出高達260億美元、遠多於去年的113億美元，比英特爾(Intel Corp.)、台積電(2330)加總起來來要多。
IC Insights總裁Bill McClean指出，他追蹤半導體產業這37年來，從未看過如此積極的資本支出計畫，三星今年的支出規模，在半導體業界可說是史無前例。(圖為三星歷年支出金額統計)
該機構預測，三星今年第4季的半導體資本支出將達到86億美元，佔全球半導體產業支出總額(262億美元)的33%。與此同時，三星Q4的導體銷售額，對全球佔比則將達16%。
IC Insights估計，三星今年的260億美元半導體支出當中，140億美元會分配給3D NAND、70億美元分配給DRAM、50億美元分配給專業晶圓代工(用來擴充10奈米製程產能)。
三星今年的龐大資本支出，對未來影響極大。該機構相信，3D NAND市場很可能會有一段供過於求的時期，除了三星大舉支出外，競爭對手(如SK Hynix、美光、東芝、英特爾等)也會跟著擴充產能、以免喪失市佔率。另一方面，三星大舉支出，也等於扼殺了中國在3D NAND或DRAM市場大展身手的希望。
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MoneyDJ 新聞 2017-11-15 15:08:05 記者郭妍希 報導