TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)調查顯示，今(2017)年第三季的DRAM產業營收表現又再度創下歷史新高，受惠於傳統銷售旺季加上供給端成長有限，各類DRAM產品合約價普遍較前一季再上漲約5%。從市場面觀察，第三季DRAM總營收較上季再成長16.2%，整體產業仍處於供貨吃緊的狀態。
DRAMeXchange研究協理吳雅婷指出，整體而言，第四季DRAM價格平均漲幅將落在10%。其中，PC-OEM廠已議定第四季合約價格，就一線大廠訂價來看，均價已正式突破30美元，落在30.5美元，較上一季平均漲幅約達7%；從市場面來觀察，此波漲幅主要受到行動式記憶體接棒漲價帶動，配合DRAM供給吃緊的狀況延續，以及智慧型手機旗艦機種的旺季效應，以三星為首的DRAM廠決定調升行動式記憶體報價，而手機客戶為了備有足夠庫存也只能接受，因此行動式記憶體在第四季漲幅約有10-20%(取決於不同的容量)；而伺服器記憶體拉貨動能亦十分強勁，第四季度合約價繼續上漲6-10%。
綜觀第三季營收表現，三星依然穩坐DRAM產業的龍頭，營收88億美元，較第二季成長15.2%，再度創下歷史新高；而SK海力士營收金額55億美元，季成長22.5%，成長動能顯著，兩大韓廠市占各為45.8%與28.7%，合計已囊括74.5%的市占率。美光集團仍舊維持第三，營收金額40億美元，季增13%，市占21%。由於SK海力士本季平均銷售單價高於美光，導致兩者三季的市占差距持續擴張；展望第四季，DRAMeXchange認為，由於美光逆勢成為價格領導者，其價格漲幅超越兩大韓系廠，預計將縮減與第二名的市占差距。
受到價格持續上漲及製程微縮所帶來的成本效益，三星第三季營業利益率衝破60%大關，來到62%歷史新高；SK海力士亦從第第二季的54%再提升至56%；美光在17nm良率逐漸穩定下，營業利益率從44%來到50%，成長最為顯著。展望第四季，受惠於DRAM價格持續上漲，各家獲利可望進一步提升。
觀察各廠技術與產能布局，三星今年目標除了專注於18nm製程的持續轉進外，近幾季DRAM同業的高獲利，亦刺激三星開始思索可能的DRAM擴產計畫，一方面因應供給吃緊狀況，另一方面則藉由提高DRAM產出量，壓抑DRAM價格上漲幅度。三星此舉將可鞏固領先地位，維持與其他DRAM大廠1-2年以上的技術差距。
反觀SK海力士今年目標還是著重於21nm的良率提升與該製程占比，18nm製程產品則預計年底會有小量出貨；至於擴廠計畫，SK海力士在中國無錫新建的第二座12 吋廠最快要到2019年才會有產能開出；而美光方面，台灣美光記憶體(原瑞晶)目前仍致力於改善17nm產品的穩定度，預期到年底良率可達80%以上，而台灣美光晶圓科技(原華亞科)今年仍以20nm製程良率的提升為主，明年將可望有一半產能轉往17nm生產。
台系廠商部分，DRAMeXchange指出，南亞科第三季營收小幅季成長5.3%，主因該公司以利基型產品為主，價格上揚幅度不及國際大廠較完整的產品線。展望未來，由於該公司20nm良率續提升，將持續改善成本結構，增加南亞科的獲利空間。至於力晶方面，DRAM第三季營收下滑3.6%，主因是替晶豪科、愛普等代工的獲利佳，排擠部分DRAM產能；華邦方面營收則成長8.7%，但由於後續製程轉進狀況不明，未來獲利狀況將完全受記憶體平均銷售單價提升的牽動。
MoneyDJ 新聞 2017-11-13 15:03:51 記者新聞中心 報導
你必須登入才能發表留言。