三星電子NAND flash技術再升級，9日宣布研發出容量達1 Tb(terabit)的3D NAND晶片，預計明年問世。
Pulse、ZDNet、韓聯社報導，三星研發1Tb的V-NAND晶片(即垂直堆疊的3D NAND)，容量是當前最大記憶體512Gb(gigabit)的兩倍。三星將結合16個1Tb的die，構成一組V-NAND組，每組記憶體容量可達2TB(terabyte)。三星宣稱，該技術是過去十年來記憶體的最大進展之一。
1Tb相當於126GB，能夠儲存60部兩小時的高畫質電影。三星表示，許多產業發展人工智慧和物聯網，數據密集的應用程式大增，flash記憶體扮演關鍵角色，可以加快資料抽取速度，以供即時分析。
不只如此，三星也秀出NGSFF固態硬碟(Next Generation Small Form Factor SSD、見圖)，將取代當前的M.2 SSD規格。三星表示NGSFF容量為前代的四倍，將於今年第四季量產。
三星去年發布Z-SSD技術，現在首度發表採用此一技術的SZ985固態硬碟，宣稱可用於數據中心和企業系統，處理大數據分析等數據密集作業。Z-SSD讀取延遲時間為15微秒，大約是NVME固態硬碟的1/7。
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MoneyDJ 新聞 2017-08-09 16:08:12 記者陳苓 報導