3D DRAM採用矽穿孔（Through Silicon Via）技術，可將DRAM晶片垂直堆疊，由於進出通道加寬，傳輸速度也大幅加快。
韓國媒體ETnews引述產業消息報導指出，三星最近向設備供應商訂購新型20台熱壓接合封裝機（TCB），這是矽穿孔技術的必要設備，且按理來說，新機具產出是原有機台的八倍。
新TCB機台今年底可就定位，預估屆時三星矽穿孔製程產能將可增加三十倍之多。
英特爾與Nvidia現均朝AI積極發展，也都是三星潛在客戶群。除此之外，日前有消息指出蘋果正在開發AI專屬晶片，將用以處理臉部與語音辨識等工作，可應用於iPhone與iPad等裝置，三星顯然已嗅到這股AI記憶體的新商機就在不遠處。
＊編者按：本文僅供參考之用，並不構成要約、招攬或邀請、誘使、任何不論種類或形式之申述或訂立任何建議及推薦，讀者務請運用個人獨立思考能力，自行作出投資決定，如因相關建議招致損失，概與《精實財經媒體》、編者及作者無涉。MoneyDJ 新聞 2017-05-31 10:15:05 記者陳瑞哲 報導