研調:明年NAND Flash供給增逾四成,供需料轉趨平衡

根據TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)指出,今(2017)年NAND Flash產業需求受到智慧型手機搭載容量與伺服器需求的帶動,加上供給面受到製程轉進進度不如預期的影響下,供不應求的狀況自去(2016)年第三季起已持續六個季度;明(2018)年NAND Flash供給將增加42.9%,需求端將成長37.7%,整體供需狀況將由2017年的供不應求轉為供需平衡。

DRAMeXchange資深研究經理陳玠瑋指出,從NAND Flash的供給面來看,因為NAND製程從2D轉進3D不如預期,導致2017年非三星陣營的新增產能沒有百分之百完善利用,再加上轉換期間所帶來的產能損失,讓2017年市場呈現整體供不應求的狀態,2018年隨著非三星陣營供應商在64/72層3D-NAND製程成熟後,整體NAND Flash產業供給量年成長率預估將達42.9%。

然而,觀察2018年需求面狀況,在第一季淡季影響下,智慧型手機、PC、平板電腦等出貨量預期都將比2017年第四季來得明顯下滑,綜觀供給與需求面狀況,2018年NAND Flash市場將從供不應求轉為供需平衡。

2018年全球3D-NAND產出占比將逾七成,三星技術與規模領先群雄。DRAMeXchange指出,2017年在非三星陣營3D-NAND製程轉換不順的影響下,3D-NAND產出占NAND Flash整體產業比重約50%,2018年隨著SK海力士、東芝/威騰、美光/英特爾陣營的3D-NAND比重都將提升的情況下,2018年3D-NAND的產出占比將突破70%大關。

從各廠製程進度來看,三星64層3D-NAND自今年第三季已經開始進入量產階段且今年第四季3D產能比重將突破50%,明年將提升到60-70%水準。SK海力士今年第四季3D-NAND產能占比約為總產能的20-30%水準,以48層3D-NAND為主,但明年將會專注於擴充72層3D-NAND產能,3D-NAND產能比重在2018年第四季也會來到40-50%。

DRAMeXchange也指出,東芝/威騰陣營今年上半年主流製程為48層3D-NAND,預期今年第四季3D-NAND的占比將會占東芝/威騰陣營整體產能約30%水準,2018年第四季目標突破50%。在產能規劃上,新的半導體廠房Fab6在2017年3月已開始動工興建,預計在後(2019)年才會開始量產最新的3D-NAND產品。值得注意的是,由於東芝與威騰電子目前對於新廠的合作態度與先前有所不同,所以日後可能仍有變數存在。

美光/英特爾陣營今年上半年32層3D-NAND的產出已有穩定的經濟規模,並在今年第三季起已開始量產64層3D-NAND,且目前良率已達量產水準,今年第四季3D-NAND產能比重有機會來到40-50%。2018年隨著英特爾將擴充中國大連廠第二期產能,其3D-NAND比重將於明年第四季提升到60-70%水準。MoneyDJ 新聞 2017-09-27 15:01:51 記者新聞中心 報導