和三星拚了!東芝傳計畫砸1兆建新廠、增產3D NAND

日刊工業新聞7日報導,為了提高3D架構的NAND型快閃記憶體(Flash Memory)產能、以因應三星電子等競爭對手加快擴產腳步,東芝(Toshiba)將進一步祭出增產投資,計畫在日本岩手縣北上市興建新工廠,該座新廠預計於2018年度動工、2021年度啟用,總投資額將達1兆日圓的規模。東芝目前已在四日市工廠廠區內興建3D NAND專用廠房「第6廠房」。

該座3D NAND新工廠興建計畫由東芝半導體事業子公司「東芝記憶體(Toshiba Memory Corporation、以下簡稱TMC)」負責策畫,而東芝是在說明上述新廠興建計畫後才進行TMC的招標作業,因此即便之後TMC易主、預估新廠興建計畫仍將持續。

報導指出,東芝因TMC出售案一事和合作夥伴Western Digital(WD)鬧翻、對立情勢加劇,因此上述新廠能否如之前一樣和WD分擔投資額仍舊不明,不過因TMC恐難於單獨進行鉅額投資,故若無法和WD達成和解的話,恐必須重新思考合作策略、尋找新投資夥伴。

東芝3日宣布,關於目前已在四日市工廠廠區內興建的3D NAND專用廠房「第6廠房」投資案,因和WD子公司SanDisk未能獲得共識、協商破裂,故所需的設備投資金額將由TMC單獨負擔,且為了因應記憶體需求擴大,故投資金額將從原先規劃的1,800億日圓加碼至約1,950億日圓。東芝指出,計畫在2018年度將3D架構產品的產量比重提高至約90%。

路透社、美聯社等多家外電報導,三星7月4日宣布,至2021年為止,要對位於平澤市的NAND型快閃記憶體廠房投入14.4兆韓圜,並對華城市新建的半導體生產線投入6兆韓圜。位於中國西安的NAND生產基地也會多蓋一條生產線,但投資金額和時間表還未定。

記憶體業者大手筆投資,讓IC Insights憂心忡忡。該機構7月18日稱,記憶體以往市況顯示,過度投資常會造成產能過剩、削弱價格。未來幾年三星電子、SK海力士、美光、英特爾、東芝/SanDisk、武漢新芯(XMC)/長江存儲(Yangtze River Storage)都大舉提高3D NAND flash產能,未來可能還有中國新業者加入戰場,3D NAND flash產能過多的可能性「非常高」(very high)。

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MoneyDJ 新聞 2017-08-07 07:29:41 記者蔡承啟 報導