記憶體報價水漲船高，三星電子(Samsung Electronics)半導體部門和SK海力士(SK Hynix)上半年大賺一票，但韓媒警告，當前的繁榮景象恐怕只是暫時性的，來自中國的隱憂，恐讓南韓半導體業大受打擊。
南韓媒體Business Korea 14日報導，UBS Securities今(2017)年2月就曾出言示警，聲稱中國IT業者大舉建立庫存，是半導體報價去年大漲的主因，下半年DRAM、NAND型快閃記憶體恐將嚴重過剩。
仔細分析中國國家統計局的資料就可發現，在2015年1-8月期間，中國的半導體庫存從人民幣2,775億元一路上衝至歷史高3,330億元，隨後在2016年1月下滑至2,784億美元，直到2017年4月才反彈至3,305億元。然而，最近中國的半導體庫存年增率只有個位數、甚至負成長，遠不如2015年的20-50%成長率。也就是說，目前中國IT企業並未大舉建立庫存。業界消息顯示，部分陸企今年第一季開始減產、零組件訂單的縮減幅度也比往年還要高。
不只如此，DRAM、NAND型快閃記憶體下半年的供應量勢將跳增，供需日益失衡。三星位於平澤市的新廠預定7月投產，SK海力士在利川的M14廠房則已開始擴充產能。美光(Micron Technology)也在拉高DRAM、NAND型快閃記憶體的產量，英特爾(Intel Corp.)則計畫在下半年生產NAND型快閃記憶體。另外，紫光集團等中國半導體業者，也預定會在明年增添供給量。
先前就有報導直指，三星電子率先量產18奈米DRAM，把同業拋在腦後。競爭對手美光和SK海力士則不甘示弱，紛紛砸錢要追上三星。
Nikkei Asian Review、BusinessKorea報導，三星是DRAM龍頭，製程領先對手1~2年，2016年下半首先量產18奈米DRAM，計畫今年下半推進至15奈米。IHS Markit估計，今年底為止，三星打算把18奈米DRAM的生產比重，提高至30%。業界人士說，三星會以利潤優先，不會擴產搶市，打亂價格。
三星一馬當先，DRAM第三大廠美光拼命追趕，計畫未來兩三年砸下20億美元，研發13奈米DRAM製程。美光在日本廣島廠增設無塵室設備，並購買了多項高價生產儀器。進入13奈米製程之後，同一片晶圓能分割成更多晶片，生產力將提高20%。美光已於今年第一季量產18奈米DRAM。
與此同時，SK海力士也準備在今年下半量產電腦用的18奈米DRAM，接著再投入行動裝置用的18奈米DRAM。SK海力士會優先提高21奈米製程良率，之後轉進20奈米、再轉向18奈米。SK海力士人員透露，該公司正在研發1y DRAM製程，但是還不確定量產時間。
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MoneyDJ 新聞 2017-06-14 14:09:43 記者郭妍希 報導