DRAM跌太兇!傳三星記憶體投資對半砍

DRAM

MoneyDJ新聞 2016-03-18 08:05:25 記者 陳苓 報導

業者爭相增產,記憶體又成慘業,情況到底有多嚴重?外資報告稱,三星勒緊褲帶,準備把記憶體的投資金額對半腰斬,撙節情況一如2011年記憶體低潮。

韓國時報(Korea Times)17日報導,RBC Capital Markets分析師Amit Daryanani報告稱,去年三星的DRAM投資為21億美元,預料今年將狠刪51%。近年來PC需求不振,DRAM價格暴跌50%,估計三星今年的DRAM開支,會降至2011、2013年DRAM低潮時期的水準。過去兩年,三星砸下重金,協助DRAM轉進20奈米製程,約有60~70%的DRAM產能改用20奈米製程。

Daryanani預測,三星也會重砍NAND flash記憶體支出。等到3D NAND擴產工程完成後,三星的NAND支出會從61億美元、降至28億美元。三星從2015年年中開始在中國西安擴建產線,估計2015年底西安廠的3D NAND產能為9萬~10萬組,其中3萬組為48層、6~7萬組為32層。

報告表示,三星應會繼續投資,不過10奈米產能應要到2017年才會大幅開出。RBC認為,業者轉進3D NAND會拉低均價,部分廠商恐陷困境,未來價格可能會暴跌。估計今年三星半導體部門(包括邏輯晶片和記憶體)投資總額為90億美元,低於去年的130.8億美元 。

日經新聞11日報導,爾必達末代社長(土反)本幸雄將攜手台灣、中國之力,在安徽省合肥打造大規模記憶體廠,力抗三星等廠商。(土反)本幸雄設立的半導體設計公司「Sino King Technology」 已和合肥市政府簽約,預定2018年下半量產,以12吋晶圓換算的月產能達10萬片,將成為中國最大規模的DRAM廠。

DRAM低潮還沒完,野村(Nomura)認為記憶體陷入完美風暴,業者拼命增產搶奪市佔,DRAM均價可能會續跌30%,美光(Micron)將受重創。(完美風暴意指一連串事情發生,導致災難性後果)

巴倫(Barronˋs)網站7日報導,野村的Romit Shah報告稱,他們與台韓的三星電子、SK海力士(SK Hynix)、美光等供應商會面,發現記憶體落入完美風暴,終端市場需求疲軟,包括PC、行動裝置、伺服器。但是美光、SK海力士、三星無意降低產能,持續增產。野村估計今年DRAM均價至少將重挫30%,跌幅大幅於市場預估的14~19%。要是DRAM均價暴跌30%,營業利潤率將減至1~3%,低於外界估計的7%;每股盈餘也會降至0.25美元,低於市場估計的0.46美元。

Businesskorea先前報導,三星加速重整旗下子公司,據傳去年裁員2,480人,研發支出也跟著縮水,這同樣是2008年後首見。報導指出,去年底三星研發中心數量裁減至41間,較2014年減少3間。

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