DRAM與Flash轉佳,力成明年Q1保持年成長

DRAM與Flash轉佳,力成明年Q1保持年成長
DRAM與Flash轉佳,力成明年Q1保持年成長

力成科技(6239)第4季在NAND Flash、Mobile DRAM與圖形Graphic DRAM的需求強勁、中國西安廠標準型DRAM的產出持續放量,本季營收有望維持季成長。在DRAM第4季標準型記憶體報價仍走升的預期聲中,將減少28nm晶圓供貨不及、力成邏輯IC本季貢獻度減少的影響,初估力成第4季毛利率就算是減少、幅度亦有限。而展望2017年第1季,在西安廠持續投產、手機儲存eMCP帶動Flash的挹注,明年初淡季不淡,並較2016年同期成長。

DRAM與Flash轉佳,力成明年Q1保持年成長

據DRAMeXchange表示,2016年第3季適逢蘋果iPhone 7與三星Note7二大旗艦機備貨潮,雖然Note 7後來於第4季停產,但第3季備貨仍有助記憶體消化量與價格上揚。DRAMeXchange指出,標準型記憶體也因出貨比預期更佳,加上筆電搭載高容量8GB記憶體比重亦持續增加,更讓第4季標準型記憶體合約價季漲幅逾30%。

(一) 力成Q4營收季成長,毛利率因產品結構不同而略有變動:

產能利用率大幅提升,力成第3季毛利率22.5%、季增1個百分點,稅後盈餘13.3億元、季增18%、年增21%,符合預期。

展望第4季,受惠於NAND Flash、Mobile DRAM與Graphic DRAM需求強勁、西安廠標準型DRAM產出持續放量。儘管邏輯產品線營收將因28nm晶圓供貨不及而小幅下滑,但是法人仍預估,力成第4季營收季增2%至130億,封裝與測試產能利用率仍維持在相對高峰,有可能小幅季增。

高毛利率的邏輯IC營收比重降低,第4季毛利率也可能小幅下滑。

(二) 力成中國西廠產出量快速增加,挹注成長:

力成為主要客戶美光(Micron)接單Mobile DRAM的封裝與測試、標準型DRAM封裝、NAND Flash封裝。

西安廠的DRAM封裝實際產出,由2016年6月單月產出約2,000萬顆,迄10月份產出已跳升至單月5,000萬顆。預期將持續逐月放量至2017的第一季的單月1億顆。力成中國西廠產出量快速增加。

(三) 力成2017年動力來自Flash用量增、SSD滲透率提升:

展望2017年成長動能,主要來自NAND Flash受惠於手機的eMCP搭載量倍增,以及SSD(固態硬碟)滲透率大幅提升,此外,客戶之一的Intel(英特爾)大連新廠開始量產3D NAND,以及高階封裝Bumping月產能倍增至7.4萬片、產能利用率維持9成以上。

而2016年資本支出150億元,已用於Bumping、NAND高階測試、西安廠DRAM封裝產能擴充,讓力成西安廠的封裝產能大增,預計2017年月產能力將挑戰至1億顆,也是力成明年的營收動力之一。